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低壓無功補償柜有哪些投切方式?特點是什么?

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瀏覽:-發(fā)布日期:2020-11-14 14:24【

隨著對供電質(zhì)量要求的不斷提高和節(jié)能降耗的需要,低壓無功補償柜的使用量也在快速增長,各種不同無功補償裝置也不斷研發(fā)推出應(yīng)用。根據(jù)補償電機的不同,選擇的投切方式也是不同,常見的有接觸器投切、可控硅投切、以及復(fù)合開關(guān)投切等方式。

一、投切方式

1、機械式接觸器投切電容裝置

接觸器投切過程中,電容器的初始電壓為零,觸點閉合瞬間,絕大多數(shù)情況下電壓不為零、有時可能處在高峰值,極少為零,因而產(chǎn)生非常大的電流,也就是常說的合閘涌流。實驗表明合閘涌流嚴重時可達電容器額定電流的50倍。這不僅影響電容器和接觸器的壽命,而且對電網(wǎng)造成沖擊,影響其它設(shè)備的正常工作。因此,后來采用串接電抗器和加入限流電阻來抑制涌流,這雖然可以控制合閘涌流在額定電流的20倍以內(nèi),但從長期運行情況來看,其故障率仍然非常高,維修費用較高。

優(yōu)點:總的實踐應(yīng)用反映,其價格低,初期投入成本上升少,無漏電。

缺點:涌流大、壽命短、故障多、維修費用高。 

2、可控硅投切電容器裝置

低壓晶閘管電容補償.jpg

可控硅投切電容器是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點。采用過零觸發(fā)電路,檢測當施加到可控硅兩端電壓為零時,發(fā)出觸發(fā)信號,可控硅導(dǎo)通。此時電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等,因此不會產(chǎn)生合閘涌流,解決了接觸器合閘涌流的問題。但是,可控硅在導(dǎo)通運行時,可控硅結(jié)間會產(chǎn)生一伏左右的壓降。通常15KVAR三角形接法的電容器,額定電流22A,則一個可控硅消耗功率約為22W。如以一個150KVAR電容柜來算,運行時可控硅投切裝置消耗的功率可達600W,而且都變成熱量使機柜溫度升高。同時可控硅有漏電流存在,未接電容時,即使可控硅未導(dǎo)通,其輸出端也是高電壓。

優(yōu)點:是無涌流、無觸點、使用壽命長、維修少、投切速度快在5ms內(nèi)。

缺點:價格高為接觸器的3倍。 

3、復(fù)合開關(guān)投切電容裝置

投切開關(guān)的補償方式

復(fù)合開關(guān)投切裝置工作原理是先由可控硅在電壓過零時投入電容器,然后再由磁保持繼電器觸點并聯(lián)閉合,可控硅退出,電容器在磁保持繼電器觸點閉合下運行。因而實現(xiàn)了投入無涌流運行不發(fā)熱的目的。但為了降低成本,通常選用兩只小功率,低耐壓可控硅串聯(lián)使用,利用可控硅20ms內(nèi)電流可過載10倍額定電流的特性過零投入,再用繼電器閉合運行。而磁保持繼電器觸點偏小且額定機械壽命一般為5萬次,從目前投入市場使用情況看,可控硅時有擊穿,磁保持繼電器也有卡住不動作現(xiàn)象,工作不夠穩(wěn)定。

優(yōu)點:是無涌流、不發(fā)熱、節(jié)能。

缺點:是價格高為接觸器的5倍、壽命短、故障較多、有漏電流、投切速度0.5s左右。 

二、應(yīng)用范圍

1、用于無功量比較穩(wěn)定,不需要頻繁投切電容補償?shù)挠脩?,可選用帶限流電阻的接觸器投切電容裝置,這種裝置比較經(jīng)濟、價格低。由于投切次數(shù)少,相應(yīng)壽命就夠長了。 

2、對于需要快速頻繁投切電容補償?shù)挠脩?,比如電焊、電梯等設(shè)備,應(yīng)選用無觸點可控硅投切電容裝置,才能達到應(yīng)有的補償效果。 

3、對于其他一般工廠、小區(qū)和普通設(shè)備,無功量變化時間大于30s的地區(qū),則考慮選用對電網(wǎng)無沖擊、節(jié)能、安全、經(jīng)濟、使用壽命長的無涌流電容投切器。

熔斷器.jpg

低壓無功補償裝置一般由刀開關(guān)、電流互感器、斷路器、交流接觸器、熱繼電器、補償電容、低壓避雷器等。經(jīng)過恰當設(shè)計的無功補償裝置,不但可以將三相的功率因數(shù)均補償至1,而且可以將三相間的不平衡有功電流調(diào)整至平衡。

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